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STGWA75M65DF2

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 468 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.90187 34.90187
10+ 30.81370 308.13701
30+ 28.37550 851.26527
100+ 25.91629 2591.62990
500+ 24.78127 12390.63900
1000+ 24.26631 24266.31500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥34.90188
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.90
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 75A
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大整流电流 (Icm) 225 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 120 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 门电荷 225 nC
  • 最大功率 468 W
  • 开通/关断延时 (25°C) 47ns/125ns
  • 反向恢复时长 (trr) 165纳秒
  • 开关能量 690J (on), 2.54mJ (off)
  • 试验条件 400V, 75A, 3.3欧姆, 15V

STGWA75M65DF2 产品详情

STGWA75M65DF2所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGWA75M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGWA75M65DF2价格参考¥34.901876,你可以下载 STGWA75M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGWA75M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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