9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB6NC60HD-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB6NC60HD-1参考价格为6.9225美元。STMicroelectronics STGB6NC60HD-1封装/规格：IGBT 600V 15A 56W I2PAK。您可以下载STGB6NC60HD-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB40V60F，带引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计为在to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入类型中工作，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为283W，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为456μJ（开），411μJ（关），栅极电荷为226nC，25°C时的Td为52ns/208ns，测试条件为400V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为283W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极发射极漏电流为250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
STGB5H60DF和用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.95V@15V、5A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、5A、47欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如30ns/140ns，开关能量设计为在56μJ（开）、78.5μJ（关）下工作，该设备还可以用作134.5ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为88W，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为43nC，集流器脉冲Icm为20A，集流器Ic最大值为10A。
带有电路图的STGB40H65FB，请联系技术支持团队了解更多STGB40H75FB信息。
