9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB7NB40LZT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB7NB40LZT4参考价格$4.266。STMicroelectronics STGB7NB40LZT4封装/规格：IGBT 430V 14A 100W D2PAK。您可以下载STGB7NB40LZT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB6NC60HDT4是IGBT 600V 15A 56W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为56W，反向恢复时间trr为21ns，集电器Ic最大值为15A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为21A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，3A，开关能量为20μJ（开），68μJ（关），栅极电荷为13.6nC，25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10 Ohm、15V，Pd功耗为80W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.7 V，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为+/-20V，且连续集电极电流Ic-Max为15A。
带有用户指南的STGB7H60DF，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.95V@15V、7A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、7A、47欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如30ns/160ns，开关能量设计为在99μJ（开）、100μJ（关）下工作，以及TO-263（D2Pak）供应商设备包，该设备也可以用作136ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为88W，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为46nC，集电脉冲Icm为28A，集电器Ic最大值为14A。
STGB6NC60HT4是IGBT 600V 15A 56W D2PAK，包括15A集流器Ic Max，它们设计为与21A集流器脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于13.6nC，提供输入型功能，如标准，安装型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为56W，该设备采用PowerMESH？系列，该设备具有供应商设备包的D2PAK，开关能量为20μJ（开）、68μJ（关），25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10欧姆、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、3A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
