9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW35NB60S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW35NB60S参考价格为29.4608美元。STMicroelectronics STGW35NB60S封装/规格：IGBT 600V 70A 200W TO247。您可以下载STGW35NB60S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW35HF60WD是IGBT 600V 60A 200W TO-247，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247-3，该设备为单配置，该设备的最大功率为200W，反向恢复时间trr为50ns，集电器Ic最大值为60A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为150A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，20A，开关能量为290μJ（on），185μJ（关），栅极电荷为140nC，25°C时的Td为30ns/175ns，测试条件为400V、20A、10 Ohm、15V，Pd功耗为200W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为0.1uA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
STGW35HF60W是IGBT 600V 60A 200W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供400V、20A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，185μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，该系列是600-650V IGBT，该器件提供200W最大功率，该器件具有200W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为20V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为100nA，栅极电荷为140nC，集电极脉冲Icm为150A，集电极Ic Max为60A，25℃时的连续集电极电流为60A。集电极发射极饱和电压为2.5V。
STGW35HF60WDI是IGBT 600V 60A 200W TO-247，包括60A集流器Ic Max，它们设计用于150A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于140nC，提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及TO-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为200W，设备提供85ns反向恢复时间trr，设备具有600-650V系列IGBT，供应商设备包为TO-247-3，开关能量为185μJ（关），25°C时的Td为30ns/175ns，测试条件为390V、20A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.5V@15V、20A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
