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2N4416A是JFET N-CH 35V 0.3W TO-72，包括2N4416系列，它们设计用于散装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于BK，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-206AF、TO-72-4金属罐以及Si技术，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-72，该设备为单配置，该设备具有FET型N沟道，最大功率为300mW，电压击穿V BRGSS为35V，漏极至源极电压Vdss为35V；电流漏极Idss Vds Vgs=0为5mA@15V，电压截止Vgs关断Id为2.5V@1nA，输入电容Ciss Vds为4pF@15V，Pd功耗为300mW，Id连续漏极电流为15mA，Vds漏极-源极击穿电压为35V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为0.0045S至0.0075S，Vgs栅极-源极耐压为35V。
2N4416是JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF，包括3V@1nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于30V电压击穿V BRGSS，VGS栅源击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如15 V，晶体管极性设计用于N沟道，以及Si技术，该设备也可以用作TO-206AF（TO-72）供应商设备包。此外，该系列为2N4416，该器件的最大功率为300mW，该器件具有300mW的Pd功耗，封装为散装，封装外壳为TO-206AF、TO-72-4金属罐，安装类型为通孔，输入电容Cis-Vds为4pF@15V，Id连续漏电流为1 nA，栅极-源极截止电压为-6V，正向跨导最小值为4000uS，FET类型为N沟道，电流漏极Idss Vds Vgs=0为5mA@15V，配置为单一。
2N4410是TRANS NPN 80V 0.25A TO-92，包括120 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在200 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于80 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在0.45 a下工作，该器件还可以用作5V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为60 MHz，该器件提供10 mA最大直流集电极电流，该器件具有安装型通孔，封装盒为TO-92，封装为散装，零件别名为BK，Pd功耗为625 mW，系列为2N4410，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
2N4407是双极晶体管-BJT双极80V PNP 2.0A 8.75W 50pF Trans，包括散装封装，它们设计为使用BK零件别名操作，系列如数据表注释所示，用于2N4407。
