9icnet为您提供由Central Semiconductor Corp设计和生产的CP226V-2N4392-CT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CP226V-2N4392-CT参考价格为42.667356美元。中央半导体公司CP226V-2N4392-CT封装/规格：JFET N-CH开关斩波器。您可以下载CP226V-2N4392-CT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N4392是MOSFET N-CH 40V。1NA TO-18，包括2N4392系列，它们设计用于散装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于BK，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-206AA（TO-18）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备为N沟道FET型，该设备的最大功率为1.8W，电压击穿V BRGSS为40V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为25mA@20V，电压截止Vgs关闭Id为2V@1nA，输入电容Ciss Vds为14pF@20V，电阻RDS开启为60欧姆，Pd功耗为1.8W，Id连续漏极电流为0.1nA，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为60欧姆，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极耐压为40V。
2N4391-2带用户指南，包括4V@1nA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供晶体管极性特性，如N通道，供应商设备包设计用于to-206AA（to-18），以及30欧姆电阻RDS开启，该器件还可以用作1.8W最大功率。此外，封装为散装，该器件提供TO-206AA、TO-18-3金属罐封装盒，该器件具有安装类型的SMD/SMT，安装类型为通孔，输入电容Ciss Vds为14pF@20V，FET类型为N沟道，电流漏极Idss Vds Vgs=0为50mA@20V，配置为单。
2N4391-E3是MOSFET N-CH 40V。1NA TO-18，包括50mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于N沟道FET类型，输入电容Ciss Vds如数据表注释所示，用于14pF@20V，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐以及散装包装，该设备也可作为1.8W最大功率使用。此外，电阻RDS开启为30欧姆，该设备在TO-206AA（TO-18）供应商设备包中提供，该设备具有40V电压击穿V BRGSS，电压切断VGS关闭Id为4V@1nA。
2N4391UB，带有Microsemi制造的EDA/CAD模型。是JFET（结场效应）的一部分，并支持JFET N沟道JFET、JFET。
