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STGW35NB60SD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 40.41538 40.41538
10+ 36.27244 362.72443
100+ 29.72051 2972.05160
500+ 25.30060 12650.30450
1000+ 25.16255 25162.55900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥40.41538
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40.42
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规格参数

  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 部件状态 过时的
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 70 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 反向恢复时长 (trr) 44 ns
  • 最大整流电流 (Icm) 250 A
  • 最大功率 200瓦
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.7V@15V,20A
  • 开关能量 840J (on), 7.4mJ (off)
  • 门电荷 83 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 92ns/1.1s
  • 试验条件 480V, 20A, 100欧姆, 15V

STGW35NB60SD 产品详情

STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了先进的IGBT系列PowerMESH?IGBTs,性能卓越。

特色

  • 低压降(VCEsat公司)
  • 高电流能力
  • 低输入电容
STGW35NB60SD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW35NB60SD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW35NB60SD价格参考¥40.415382,你可以下载 STGW35NB60SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW35NB60SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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