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GPA030A135MN-FDR

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥42.92567
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥42.93
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 最大整流电流 (Icm) 90 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 30A
  • 门电荷 300 nC
  • 集电极击穿电压 1350 V
  • 制造厂商 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 开通/关断延时 (25°C) 30ns/145ns
  • 试验条件 600V, 30A, 5欧姆, 15V
  • 最大功率 329 W
  • 反向恢复时长 (trr) 450 ns
  • 开关能量 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)

GPA030A135MN-FDR 产品详情

GPA030A135MN-FDR所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),GPA030A135MN-FDR 由 赛米奇公司 (SemiQ) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GPA030A135MN-FDR价格参考¥42.925670,你可以下载 GPA030A135MN-FDR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GPA030A135MN-FDR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

赛米奇公司 (SemiQ)

赛米奇公司 (SemiQ)

SemiQ设计、开发和制造碳化硅(SiC)功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式,也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识,包括子系统设计...

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