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品牌介绍

SemiQ设计、开发和制造碳化硅(SiC)功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式,也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识,包括子系统设计和半定制模块。

英文全称: SemiQ

中文全称: 赛米奇公司

英文简称: SemiQ

品牌地址: https://semiq.com/

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品牌型号
描述
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操作
GPI040A060MN-FD
GPI040A060MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 231 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.05653

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.05653

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GPA015A120MN-ND
GPA015A120MN-ND
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 212 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.34242

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.34242

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GPA020A120MN-FD
GPA020A120MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥62.12960

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.12960

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GPA020A135MN-FD
GPA020A135MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.18442

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.18442

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GPA025A120MN-ND
GPA025A120MN-ND
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥114.24951

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥114.24951

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GPA030A120I-FD
GPA030A120I-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥58.33432

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.33432

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GPA030A120MN-FD
GPA030A120MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.49501

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.49501

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GPA030A135MN-FDR
GPA030A135MN-FDR
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.92567

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.92567

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GPA040A120L-FD
GPA040A120L-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.37960

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.37960

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GPA040A120L-ND
GPA040A120L-ND
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 455 W 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.81084

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.81083

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GPA040A120MN-FD
GPA040A120MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥147.55236

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥147.55236

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GPA042A100L-ND
GPA042A100L-ND
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 463 W 供应商设备包装: TO-264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.55592

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.55592

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GPA060A060MN-FD
GPA060A060MN-FD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.68236

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.68236

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