GPA040A120MN-FD
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 赛米奇公司 (SemiQ)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥147.55236
-
数量:
- +
- 总计: ¥147.55
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规格参数
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 最大功率 480瓦
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 集电极击穿电压 1200伏
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 最大整流电流 (Icm) 120 A
- 供应商设备包装 TO-3PN
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 40A
- 试验条件 600V, 40A, 5欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 200纳秒
- 制造厂商 赛米奇公司 (SemiQ)
- 开关能量 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
- 门电荷 480 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 55ns/200ns
GPA040A120MN-FD 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | GPA2000-0.010-02-0816 | 贝格斯.汉高 (Bergquist) | 种类: 衬垫，薄板 轮廓: 406.40毫米x 203.20毫米 色彩/颜色: 灰色 材质: 硅酮弹性体 厚度: 0.0100英寸（0.254毫米） 导热系数: 2.0W/m-K | ¥378.2514 |
 | GPAS1005 | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 600 V 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥3.53982 |
 | GPAS1001 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 50 V 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥211.70997 |
 | GPAS1002 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥3.21585 |
 | GPAS1003 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 200伏 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥19.75768 |
 | GPAS1004 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 400伏 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥4.22985 |
 | GPAS1006 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 800 V 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥44.65972 |
 | GPAS1007 MNG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 二极管种类: 标准 整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥3.86771 |
| GPA2405S-3 | 冠图电子 (GTL-POWER) | 转换类型：DC-DC 输入电压(DC)：18V~36V 输出电压：5V 输出电流(最大值)：600mA 输出功率：3W 转换效率：76% | ¥26.55738 |
| GPA4812D-3 | 冠图电子 (GTL-POWER) | 转换类型：DC-DC 输入电压(DC)：36V~72V 输出电压：±12V 输出电流(最大值)：±125mA 输出功率：3W 转换效率：77% 可正负配置 | ¥26.55738 |
GPA040A120MN-FD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），GPA040A120MN-FD 由 赛米奇公司 (SemiQ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GPA040A120MN-FD价格参考￥147.552359，你可以下载 GPA040A120MN-FD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GPA040A120MN-FD规格参数、现货库存、封装信息等信息！
赛米奇公司 (SemiQ)
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计...
