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L6747A是IC MOSFET DRVR 8-VFDFPN，包括L6747A系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于半桥，提供托盘等封装功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及表面安装封装盒，该器件也可以用作0°C~125°C（TJ）安装类型。此外，供应商设备包为8-VFDFN外露焊盘，该设备提供2个分辨率位，该设备具有同步数据接口，电压供应模拟为反相，电压供应数字为41V，ADC DAC数量为，Sigma Delta为5V～12V，S N比率ADC DAC db Typ为0.8V，2V，动态范围ADC DAC db Typ为3.5A，-，Pd功耗为2.25 W，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为3.5 mA，电源电压最大值为12 V，电源电压最小值为5 V。
L6743TR是IC MOSFET DRIVER HIGH CURR 8SOIC，包括41V数字电源，它们设计为与非反相模拟电源一起工作，类型如数据表注释所示，用于半桥，提供供应商器件封装功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），S N Ratio ADC DAC db Typ设计用于0.8V、2V以及5V～12V的Sigma Delta，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，该包装为Digi-ReelR替代包装，该设备采用表面安装包装盒，该设备具有数个ADC DAC，安装类型为0°C~125°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、-，数据接口为同步。
L6747ATR是集成电路MOSFET DRVR 8-VFDFPN，包括双配置，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围0 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，驱动器数量设计为2个驱动器，以及2个输出，该设备还可以用作3.5 mA工作电源电流。此外，输出电流为3.5A，该器件采用VFDFPN-8封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.25W，产品为MOSFET栅极驱动器，系列为L6747A，电源电压最大值为12V，电源电压最小值为5V，类型为高电流MOSFET驱动器。
