用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中,具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
- 特定应用的闸门驱动范围:
- 电机驱动:12 V至20 V(IRS2127/IRS2128)
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 快速电动汽车充电
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 15.35658 | 1535.65850 |
1000+ | 14.48729 | 14487.29900 |
3000+ | 12.89368 | 38681.06100 |
10000+ | 11.47531 | 114753.10000 |
50000+ | 10.82576 | 541288.00000 |
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用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中,具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。