IR51H310

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IR51H224是集成电路半桥自OSC 9-SIP，包括管封装，它们设计用于9-SIP、7引线封装外壳，数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于通孔，以及内部振荡器功能，该装置也可以用作交流电机应用。此外，接口为开/关，设备提供10 V ~ 15.6 V电压供应，设备具有9个SIP，7个供应商设备包引线，电流输出通道为1.1A，故障保护为UVLO，输出配置为半桥，负载类型为电感，Rds On Typ为1.1 Ohm，电压负载为250V（最大值）。

IR5110带有IR制造的用户指南。IR5110采用QFN封装，是IC芯片的一部分。

IR51H214带有由IR制造的电路图。IR51H214ZIP7封装，是IC芯片的一部分。