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TDA21201B7T是IC MOSFET DRIVER N-CH TO263-72，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与to-263-7、D2Pak（6引线+接线片）封装盒一起工作，数据表中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-25°C~125°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及自举电路功能，该设备也可以用作同步降压转换器应用。此外，接口为PWM，该设备提供9 V ~ 15 V电压供应，该设备具有供应商设备包的P-TO263-7，电流输出通道为30A，故障保护为过温、穿透、UVLO，输出配置为半桥，负载类型为电感，Rds On Typ为4.8 mOhm LS、13.3 mOhm HS，电压负载为9 V ~ 15V。
TDA21201P7是IC MOSFET DRIVER N-CH TO220-7-3，包括9V~15V电压源，设计用于9V~15 V电压负载。数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，该功率MOSFET提供供应商器件封装功能，如P-TO220-7、Rds on Typ，设计用于4.8 mOhm LS、13.3 mOhm HS以及散装封装，该装置也可用作TO-220-7包装箱。此外，输出配置为半桥，其工作温度范围为-25°C~125°C（TJ），设备具有安装型通孔，负载类型为感应式，接口为PWM，功能为自举电路，故障保护为过热、穿透、UVLO，电流输出通道为30A，应用是同步降压转换器。
TDA21201-P7是SWITCH MOSFET/DRIVER TO220-7-3，包括同步降压转换器应用，它们设计用于30A电流输出通道，数据表注释中显示了用于超温、穿透、UVLO的故障保护，提供了自举电路等功能，接口设计用于PWM，以及感应负载类型，该器件也可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-25°C~125°C（TJ），该器件采用半桥输出配置，该器件具有TO-220-7封装盒，封装为管，Rds On Typ为4.8 mOhm LS，13.3 mOhm HS，供应商器件封装为P-TO220-7，技术为功率MOSFET，电压负载为9V~15V，电源为9V~15V。
