Transphorm,Inc.是GaN革命的全球领导者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利,是全球最大的功率GaN IP产品组合之一。Transphorm生产业界首款经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术超越了硅的局限性,实现了99%以上的效率、40%以上的功率密度和20%更低的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州的Goleta,在日本的Goleta和Aizu有生产业务。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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采用的IC/零件: TP65H070L 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 | ¥1,810.72500 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.72500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TPH3206PSB 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,隔离 开关频率: 100千赫兹 | ¥3,763.41084 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,763.41084 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: tp65h505ws 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 开关频率: 50千赫兹 | ¥4,015.46376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,015.46376 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TDTTP4000W065AN 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 输入电压: 85 ~ 265 VAC 输出电压: 387伏 开关频率: 65千赫兹 | ¥6,257.86560 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,257.86560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TP65H070L 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 | ¥805.77263 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥805.77263 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TPH3212PS 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 | ¥1,896.37954 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,896.37954 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TPH3212PS 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,非隔离 输入电压: 85 ~ 265 VAC 输出电压: 390伏 开关频率: 100千赫兹 | ¥511.33425 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥511.33425 | 添加到BOM 立即询价 | ||
采用的IC/零件: TP90H180PS 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1,隔离 输入电压: 750V 开关频率: 100千赫兹 | ¥514.18796 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥514.18796 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,268.44908 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,268.44908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: 3-PFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥94.01284 | 2306 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.01284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46.5A (Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥127.83719 | 901 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.83719 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥75.10887 | 508 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.10887 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥81.55505 | 130 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.55505 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.2A (Tc) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥165.50027 | 184 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥165.50027 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: 3-PFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥94.01284 | 230 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.01284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 119W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥123.49145 | 353 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 119W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥145.07529 | 440 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.07529 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46.5A (Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥148.40702 | 374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148.40702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥137.68753 | 254 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥137.68753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥166.36941 | 374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥166.36941 | 添加到BOM 立即询价 |