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TPD3215M

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1268.44907 1268.44907
10+ 1214.84437 12148.44374
  • 库存: 17
  • 单价: ¥1,268.44908
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,268.45
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规格参数

  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 场效应管特性 氮化镓
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 部件状态 过时的
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 600V
  • 制造厂商 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 34毫欧姆 @ 30A, 8V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28nC@8V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2260皮法@100V
  • 最大功率 470瓦

TPD3215M 产品详情

TPD3215M所属分类:场效应晶体管阵列,TPD3215M 由 特朗斯峰 (Transphorm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPD3215M价格参考¥1268.449077,你可以下载 TPD3215M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPD3215M规格参数、现货库存、封装信息等信息!

特朗斯峰 (Transphorm)

特朗斯峰 (Transphorm)

Transphorm,Inc.是GaN革命的全球领导者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利,是全球最大的功率GaN IP产品...

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