Transphorm,Inc.是GaN革命的全球领导者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利,是全球最大的功率GaN IP产品组合之一。Transphorm生产业界首款经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术超越了硅的局限性,实现了99%以上的效率、40%以上的功率密度和20%更低的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州的Goleta,在日本的Goleta和Aizu有生产业务。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,268.44908 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,268.44908 | 添加到BOM 立即询价 |