能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT的栅极。半桥电路由以共源共栅布置连接的上部和下部MOSFET组成。两个MOSFET开关彼此互补地接通和断开。
DGD2104MS8-13
- 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 10.64706 | 10.64706 |
10+ | 9.50992 | 95.09928 |
25+ | 9.02755 | 225.68877 |
100+ | 7.41673 | 741.67300 |
250+ | 6.93290 | 1733.22600 |
500+ | 6.12662 | 3063.31200 |
1000+ | 4.83680 | 4836.80900 |
2500+ | 4.56302 | 11407.56750 |
- 库存: 231738
- 单价: ¥10.64706
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数量:
- +
- 总计: ¥10.65
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 电源电压 10伏~20伏
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.5伏
- 高侧最大电压 (自举) 600 V
- 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 290毫安, 600毫安
- 上升/下降时长(典型值) 70ns, 35ns
- 供应商设备包装 8-SO
DGD2104MS8-13 产品详情
半桥门驱动器,二极管公司
DGD2104MS8-13所属分类:栅极驱动器,DGD2104MS8-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGD2104MS8-13价格参考¥10.647063,你可以下载 DGD2104MS8-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGD2104MS8-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...