L6494LDTR是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达500 V的直流电压轨和600 V的瞬态耐受电压。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于与微控制器或DSP等控制单元接口。
该设备是一个具有可编程死区时间的单输入门驱动器,还具有一个有源低关断引脚。
两个器件输出都可以吸收2.5A和源2A,使L6494LDTR特别适合于中高容量功率MOSFET\IGBT。
下部和上部驱动部分上的独立UVLO保护电路防止电源开关在低效率或危险条件下操作。
集成自举二极管以及该驱动器的所有集成功能使应用PCB设计更简单、更紧凑,并有助于减少整体材料清单。
特色
- 2 A电源类型。25°C时
- 2.5典型水槽。25°C时