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L6494LDTR

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.13526 20.13526
10+ 18.11449 181.14493
25+ 17.09324 427.33110
100+ 14.56257 1456.25750
250+ 13.67343 3418.35900
500+ 11.96440 5982.20100
1000+ 11.28719 11287.19100
2500+ 11.28719 28217.97750
  • 库存: 10722
  • 单价: ¥18.32454
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 上升/下降时长(典型值) 25ns, 25ns
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 500 V
  • 输入类别 CMOS/TTL
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 14-SO
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 2A, 2.5A
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.45伏,2伏

L6494LDTR 产品详情

L6494LDTR是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。

高压侧(浮动)部分设计为承受高达500 V的直流电压轨和600 V的瞬态耐受电压。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于与微控制器或DSP等控制单元接口。
该设备是一个具有可编程死区时间的单输入门驱动器,还具有一个有源低关断引脚。
两个器件输出都可以吸收2.5A和源2A,使L6494LDTR特别适合于中高容量功率MOSFET\IGBT。
下部和上部驱动部分上的独立UVLO保护电路防止电源开关在低效率或危险条件下操作。
集成自举二极管以及该驱动器的所有集成功能使应用PCB设计更简单、更紧凑,并有助于减少整体材料清单。

特色

  • 2 A电源类型。25°C时
  • 2.5典型水槽。25°C时
  • 短传播延迟:85 ns
  • 1 nF负载时开关时间25 ns上升/下降
  • 集成自举二极管
  • 单输入和关闭引脚

  • L6494LDTR所属分类:栅极驱动器,L6494LDTR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L6494LDTR价格参考¥18.324537,你可以下载 L6494LDTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L6494LDTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

    意法半导体 (STMicroelectronics)

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