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STG3820BJR

  • 描述:电线数量: four 多路复用器/解复用器电路: 2:2 最大值通态电阻: 5.8欧姆 供应商设备包装: FlipChip 30 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.13766 15.13766
10+ 13.57319 135.73195
25+ 12.80544 320.13617
100+ 10.91070 1091.07050
250+ 10.24493 2561.23425
500+ 8.96424 4482.12400
1000+ 8.45681 8456.81000
5000+ 8.45681 42284.05000
  • 库存: 23
  • 单价: ¥9.77792
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 电线数量 four
  • 电源电压,双电源电压(±) -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 通路至通路匹配 (Δ导通电阻) 300欧姆
  • 3db 频段宽度 800MHz
  • 开关线路 DPDT
  • 多路复用器/解复用器电路 2:2
  • 串化干扰 -1MHz时为78分贝
  • 最大漏电电流 (IS(off)) 20nA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 通道电容(CS(关闭),CD(关闭)) 2皮法
  • 最大值通态电阻 5.8欧姆
  • 电源电压,单电源电压(±) 1.65伏~4.3伏
  • 最大开关时间(Ton, Toff) 15ns, 13ns
  • 充电注入 6.4pC
  • 包装/外壳 30-WFBGA, FCBGA
  • 供应商设备包装 FlipChip 30

STG3820BJR 产品详情

STG3820BJR器件是一种采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS低压四路模拟DPDT(双极双掷)开关或2:1多路复用器/解复用器开关。其设计工作电压为1.65 V至4.3 V,是便携式应用的理想选择。

SELm-n输入用于控制开关。当SELm-n输入保持为高时,开关nS1和mS1导通(分别连接到公共端口Dn和Dm)。当SELm-n输入保持为低时,开关nS2和mS2导通(分别连接到公共端口Dn和Dm)。
STG3820BJR设备具有集成故障安全功能,可在设备断电时承受过电压条件。其他关键功能包括快速切换速度、先断后通延迟时间和超低功耗。所有输入和输出都配有防静电放电的保护电路,使其具有ESD抗扰性和瞬时过电压。

特色

  • 科科斯群岛T时=1μA(最大值)A.=85°C
  • 低“ON”电阻
    • R=5.4Ω(TA.=25°C)科科斯群岛=4.3伏
    • R=6.6Ω(TA.=25°C)科科斯群岛=3.0伏
  • 宽工作电压范围
    • 五、科科斯群岛(OPR)=1.65 V至4.3 V
  • 在V时,数字控制输入上的4.3 V容差和1.8 V兼容阈值科科斯群岛=2.3 V至3.0 V
  • 4个选择引脚,每个控制2个开关
  • 所有信道上800 MHz时的典型带宽(-3 dB)
  • 符合USB(2.0)高速(480 Mbps)信号切换
  • 集成故障安全功能
  • 根据JESD 78,II级,锁存性能超过100 mA
  • ESD性能超过JESD22 2000-V人体模型(A114-A)
  • STG3820BJR所属分类:模拟开关/多路复用/解复用器,STG3820BJR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STG3820BJR价格参考¥9.777915,你可以下载 STG3820BJR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STG3820BJR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

    意法半导体 (STMicroelectronics)

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