STG3820BJR器件是一种采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS低压四路模拟DPDT(双极双掷)开关或2:1多路复用器/解复用器开关。其设计工作电压为1.65 V至4.3 V,是便携式应用的理想选择。
SELm-n输入用于控制开关。当SELm-n输入保持为高时,开关nS1和mS1导通(分别连接到公共端口Dn和Dm)。当SELm-n输入保持为低时,开关nS2和mS2导通(分别连接到公共端口Dn和Dm)。
STG3820BJR设备具有集成故障安全功能,可在设备断电时承受过电压条件。其他关键功能包括快速切换速度、先断后通延迟时间和超低功耗。所有输入和输出都配有防静电放电的保护电路,使其具有ESD抗扰性和瞬时过电压。
特色
- 我科科斯群岛T时=1μA(最大值)A.=85°C
- R上=5.4Ω(TA.=25°C)科科斯群岛=4.3伏
- R上=6.6Ω(TA.=25°C)科科斯群岛=3.0伏
- 五、科科斯群岛(OPR)=1.65 V至4.3 V