STG3157CTR是一种使用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS模拟SPDT（单极双掷）开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关。其设计工作电压为1.65 V至5.5 V，是便携式应用的理想选择。
STG3157CTR在V时具有极低的导通电阻（＜9Ω）科科斯群岛=3.0 V。IN输入用于控制SPDT开关，并与标准CMOS输出兼容。当IN输入保持为高时，开关S1接通（连接到公共端口D），当IN保持为低时，开关S1断开（两个端口之间存在高阻抗状态）。
当IN输入保持低电平时，开关S2接通（连接到公共端口D），当IN保持高电平时，则开关S2断开（两个端口之间存在高阻抗状态）。
其他关键特性包括快速切换速度、先断后通延迟时间和非常低的功耗。所有输入和输出都配有保护电路，以防静电放电，使其免受ESD和瞬态过电压的影响。
特色
- 吨局部放电V时=0.3 ns（最大值）科科斯群岛=4.5伏
- 吨局部放电V时=0.8 ns（最大值）科科斯群岛=3.0伏
- 吨局部放电V时=1.2 ns（最大值）科科斯群岛=2.3伏
- 我科科斯群岛T时=1μA（最大值）A.=85°C
- R上=7Ω（最大TA.=85°C）科科斯群岛=4.5伏
- R上=9Ω（最大TA.=85°C）科科斯群岛=3.0伏
- 五、科科斯群岛（OPR）=1.65 V至5.5 V单电源
