英飞凌的栅极驱动器IC，用于控制低端配置中的MOSFET或IGBT功率器件。
特色
- 栅极驱动电源范围为6至20 V
- CMOS施密特触发输入
- 两个信道的匹配传播延迟
- 输出与输入同相
- 输出与输入异相（IR4426）
- 也可提供无引线
应用
- 房间空调器
- 电源
- 太阳能系统解决方案
IR4427PBF
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-PDIP 安装类别: 通孔
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.17974 | 19.17974 |
| 10+ | 16.64696 | 166.46965 |
| 50+ | 15.07054 | 753.52740 |
- 库存: 1175
- 单价: ¥19.17974
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.18
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 驱动器配置 低压侧
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 高侧最大电压 (自举) -
- 输入类别 非反相
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
- 供应商设备包装 8-PDIP
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.7伏
- 上升/下降时长（典型值） 15ns, 10ns
- 电源电压 6V ~ 20V
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 2.3A, 3.3A
IR4427PBF 产品详情
MOSFET和IGBT驱动器，低端，Infineon
IR4427PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IR4427STRPBF | 英飞凌 (Infineon) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥6.84961 |
 | IR4426PBF | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-PDIP 安装类别: 通孔 | ¥9.70549 | |
| IR4427PBF | 英飞凌 (Infineon) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-PDIP 安装类别: 通孔 | ¥19.17974 |
 | IR4427SPBF | 英飞凌 (Infineon) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥18.83154 |
 | IR4426SPPBF | 英飞凌 (Infineon) | DUAL LOW SIDE DRIVER | ¥7.14643 |
 | IR4428STRPBF | 英飞凌 (Infineon) | 驱动器配置: 低压侧 电源电压: 6V ~ 20V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥21.0189 |
 | IR400-NIST | 菲力尔.艾示科 (FLIR Extech) | THERMOMETER IR WITH NIST | ¥1,752.70937 |
 | IR400 | 菲力尔.艾示科 (FLIR Extech) | MINI IR THERMOMETER | ¥557.63087 |
 | IR423C/L10/F393(AMZ)(PF) | 暂无 | ¥0.45412 | |
 | IR423C/L10 | 辐射强度：11mW/sr @ 100mA | ¥0.71031 |
IR4427PBF所属分类：栅极驱动器，IR4427PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IR4427PBF价格参考￥19.179742，你可以下载 IR4427PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IR4427PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
