L6491D是采用BCD6“离线”技术制造的高压设备。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
集成比较器可用于快速保护过电流、过热等。
特色
- 高达600 V的高压轨
- 全温度范围内dV/dt抗扰度±50 V/ns
- 驱动器电流能力:4 A源/汇
- 开关时间15 ns,上升/下降,负载为1 nF
- 3.3 V、5 V TTL/CMOS输入,带滞后
- 集成自举二极管
- 故障保护比较器