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DGD0507AFN-7

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 8V ~ 14V 供应商设备包装: W-DFN3030-10 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.88075 6.88075
10+ 6.08403 60.84036
25+ 5.71320 142.83000
100+ 4.66153 466.15300
250+ 4.33009 1082.52375
500+ 3.68518 1842.59400
1000+ 2.94815 2948.15000
3000+ 2.67176 8015.28300
6000+ 2.60744 15644.66400
  • 库存: 74729
  • 单价: ¥6.88076
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.88
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.4伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 电源电压 8V ~ 14V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A,2A
  • 高侧最大电压 (自举) 50 V
  • 输入类别 CMOS/TTL
  • 包装/外壳 10-WFDFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 W-DFN3030-10
  • 上升/下降时长(典型值) 16ns, 18ns

DGD0507AFN-7 产品详情

DGD0507AFN-7是能够驱动N沟道MOSFET的高频栅极驱动器。浮动高压侧驱动器的额定电压高达50V。

DGD0507AFN-7逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可轻松与MCU连接。高压侧和低压侧的UVLO将保护MOSFET,使其失去电源。为了保护MOSFET,交叉导通防止逻辑防止HO和LO输出同时导通。

快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率,从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的功率开关设计。为了最小化空间,包括内部自举二极管。DGD0507AFN-7采用W-DFN3030-10(TH型)封装,可在-40°C至+125°C的温度范围内工作。

特色

  • 50V浮动高压侧驱动器
  • 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
  • 1.5A源/2.0A汇输出电流能力
  • 内置自举二极管
  • 高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
  • 延迟匹配典型的5ns
  • 传播延迟通常为20ns
  • 逻辑输入(HIN、LIN和EN)3.3V能力
  • 超低待机电流(<1µA)
  • 扩展温度范围:-40°C至+125°C

应用

  • DC-DC转换器
  • 电机控制装置
  • 电池供电手动工具
  • eCig设备
  • D类功率放大器
DGD0507AFN-7所属分类:栅极驱动器,DGD0507AFN-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGD0507AFN-7价格参考¥6.880755,你可以下载 DGD0507AFN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGD0507AFN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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