起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.88075 | 6.88075 |
| 10+ | 6.08403 | 60.84036 |
| 25+ | 5.71320 | 142.83000 |
| 100+ | 4.66153 | 466.15300 |
| 250+ | 4.33009 | 1082.52375 |
| 500+ | 3.68518 | 1842.59400 |
| 1000+ | 2.94815 | 2948.15000 |
| 3000+ | 2.67176 | 8015.28300 |
| 6000+ | 2.60744 | 15644.66400 |
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DGD0507AFN-7是能够驱动N沟道MOSFET的高频栅极驱动器。浮动高压侧驱动器的额定电压高达50V。
DGD0507AFN-7逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，可轻松与MCU连接。高压侧和低压侧的UVLO将保护MOSFET，使其失去电源。为了保护MOSFET，交叉导通防止逻辑防止HO和LO输出同时导通。
快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的功率开关设计。为了最小化空间，包括内部自举二极管。DGD0507AFN-7采用W-DFN3030-10（TH型）封装，可在-40°C至+125°C的温度范围内工作。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DGD2110S16-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.689 |
 | DGD21904S14-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥8.36555 |
 | DGD0636MS28-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 3-Phase 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 28-SO 安装类别: 表面安装 | ¥9.35116 |
 | DGD1503S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥7.60505 |
 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
 | DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
 | DGD0211CWTQ-7 | HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | ¥0.00 | |
| DGD2388MS20-13 | HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | ¥0.00 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
