DGD21904MS14-13

描述

DGD2190是一种高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190的高压侧能够在高dV/dt条件下以自举操作切换到600V。

DGD2190逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，设计用于最小化驱动器交叉传导。

DGD2190采用SO-8（TH型）封装，可在-40°C至+125°C的温度范围内工作

特征

 600V自举操作中的浮动高端驱动器
 在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
 输出驱动器能够实现4.5A/4.5A类型的接收/源
 逻辑输入（HIN和LIN）3.3V能力
 带内部下拉的施密特触发逻辑输入
 高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
 扩展温度范围：-40°C至+125°C
 完全无铅且完全符合RoHS
 无卤素和锑。“绿色”设备

应用

 DC-DC转换器
 DC-AC逆变器
 AC-DC电源
 电机控制装置
 D类功率放大器

做记号