能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT的栅极。半桥电路由以共源共栅布置连接的上部和下部MOSFET组成。两个MOSFET开关彼此互补地接通和断开。
DGD2103MS8-13
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.20948 | 7.20948 |
| 10+ | 6.12700 | 61.27008 |
| 30+ | 5.53847 | 166.15437 |
| 100+ | 4.86587 | 486.58740 |
| 500+ | 4.36142 | 2180.71050 |
| 1000+ | 4.22479 | 4224.79800 |
- 库存: 171007
- 单价: ¥7.20948
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.21
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 输入类别 反转，非反转
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 驱动器配置 半桥
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 电源电压 10伏~20伏
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.5伏
- 高侧最大电压 (自举) 600 V
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 290毫安, 600毫安
- 上升/下降时长（典型值） 70ns, 35ns
- 供应商设备包装 8-SO
DGD2103MS8-13 产品详情
半桥门驱动器，二极管公司
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
 | DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
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| DGD2388MS20-13 | HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | ¥0.00 |
DGD2103MS8-13所属分类：栅极驱动器，DGD2103MS8-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DGD2103MS8-13价格参考￥7.209481，你可以下载 DGD2103MS8-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DGD2103MS8-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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