DGD0506FN-7
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 8V ~ 14V 供应商设备包装: W-DFN3030-10 (Type TH) 安装类别: 表面安装
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 4.12845 | 12385.35900 |
- 库存: 27000
- 单价: ¥4.12845
-
数量:
- +
- 总计: ¥12,385.36
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规格参数
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 电源电压 8V ~ 14V
- 高侧最大电压 (自举) 50 V
- 上升/下降时长（典型值） 17ns, 12ns
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 1.5A、2.5A
- 包装/外壳 10-WFDFN外露衬垫
- 部件状态 不适用于新设计
- 供应商设备包装 W-DFN3030-10 (Type TH)
- 逻辑电压-VIL、VIH 1伏、2.5伏
- 种类 -
- 特点 -
DGD0506FN-7 产品详情
Diodes的DGD0506和DGD0507高频栅极驱动器IC设计用于驱动半桥配置中的两个外部N沟道MOSFET，该半桥配置具有高侧和低侧输出驱动能力，具有简单的逻辑电平输入，使MCU和功率MOSFET开关之间的接口简单。通过浮动高压侧支持敢达50 V的电压，适用于电池驱动应用中的广泛电机驱动。包含自我保护功能，例如死区时间和匹配延迟以避免穿透问题，施密特触发输入以避免错误触发，栅极驱动耐受高dv/dt切换期间产生的负瞬态，Vcc电源上的欠压锁定（UVLO）保护以避免在低电源电压下发生故障。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
 | DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
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DGD0506FN-7所属分类：栅极驱动器，DGD0506FN-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DGD0506FN-7价格参考￥4.128453，你可以下载 DGD0506FN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DGD0506FN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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