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DGD0506FN-7

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 8V ~ 14V 供应商设备包装: W-DFN3030-10 (Type TH) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 4.12845 12385.35900
  • 库存: 27000
  • 单价: ¥4.12845
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12,385.36
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规格参数

  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 电源电压 8V ~ 14V
  • 高侧最大电压 (自举) 50 V
  • 上升/下降时长(典型值) 17ns, 12ns
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 1.5A、2.5A
  • 包装/外壳 10-WFDFN外露衬垫
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 供应商设备包装 W-DFN3030-10 (Type TH)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1伏、2.5伏
  • 种类 -
  • 特点 -

DGD0506FN-7 产品详情

Diodes的DGD0506和DGD0507高频栅极驱动器IC设计用于驱动半桥配置中的两个外部N沟道MOSFET,该半桥配置具有高侧和低侧输出驱动能力,具有简单的逻辑电平输入,使MCU和功率MOSFET开关之间的接口简单。通过浮动高压侧支持敢达50 V的电压,适用于电池驱动应用中的广泛电机驱动。包含自我保护功能,例如死区时间和匹配延迟以避免穿透问题,施密特触发输入以避免错误触发,栅极驱动耐受高dv/dt切换期间产生的负瞬态,Vcc电源上的欠压锁定(UVLO)保护以避免在低电源电压下发生故障。
DGD0506FN-7所属分类:栅极驱动器,DGD0506FN-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGD0506FN-7价格参考¥4.128453,你可以下载 DGD0506FN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGD0506FN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...

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