用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中,具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
特色
- 为自举操作设计的浮栅驱动器
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
- 两个通道的欠压锁定
- 带下拉的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相(IRS2117和IRS21171)
- 输出与输入异相(IRS2118)
应用
- 电机控制和驱动
- 工业加热和焊接
- 电源
- 快速电动汽车充电
起订量: 2500
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
2500+ | 8.10770 | 20269.25500 |
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用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中,具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的600 V高压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。