一系列全桥驱动器,设计用于控制三相应用中的MOSFET和IGBT功率器件。该器件的最大阻断电压为600伏,低侧控制采用CMOS和TTL兼容信号电平。
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
- 集成死区保护
- 穿透(交叉传导)防止逻辑
- 两个通道的欠压锁定
- 独立的3个半桥驱动器
- 3.3 V逻辑兼容
- 高级输入过滤器
- 两个信道的匹配传播延迟
- 较低的di/dt栅极驱动器可提高抗噪声能力
- 输出与输入同相
应用
- 家用电器
- 室内空气条件
- 冰箱
- 多直升机和无人机
- 叉车