STG3856QTR是一种采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS低压双模拟SP3T（单极三掷）开关或双3∶1多路复用器/解复用器开关。其设计工作电压为1.65 V至4.3 V，是便携式应用的理想选择。
该设备在V时提供极低的导通电阻（<1.0Ω）科科斯群岛=4.3 V。通过设置1IN和2IN控制引脚来禁用和启用开关。其他关键特性是快速切换速度和超低功耗。所有输入和输出都配有防静电放电的保护电路，使其具有ESD抗扰性和瞬时过电压。
特色
- ESD性能（模拟通道与GND）：HBM>2 kV（MIL STD 883方法3015）
- 闩锁性能超过300 mA（JESD 17）
- 高速：t局部放电V时=0.3 ns（典型值）科科斯群岛=3.0伏局部放电V时=0.4 ns（典型值）科科斯群岛=2.3伏
- 低导通电阻V中=0伏：R上=1.0Ω（最大TA.=25°C）科科斯群岛=4.3 VR上=1.5Ω（最大TA.=25°C）科科斯群岛=3.0 VR上=1.8Ω（最大TA.=25°C）科科斯群岛=2.3伏
- 超低功耗：I复写的副本T时=0.2μA（最大值）A.=85°C
- 在V时，数字控制输入上的4.3 V容差和1.8 V兼容阈值科科斯群岛=2.3至4.3 V
- 宽工作电压范围：V科科斯群岛（opr）=1.65 V至4.3 V单电源
