该器件是一个内置振荡器的高压半桥驱动器。振荡器的频率可以使用外部电阻器和电容器编程。设备的内部电路允许它也由外部逻辑信号驱动。
输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑确保死区时间[典型值1.25ms],以避免电源设备的交叉导通。有两种版本:L6569D013TR和L6569A。它们在低电压栅极驱动器启动顺序上有所不同。
特色
- dV/dtImmunityYUPTO±50V/ns
- 延迟1.25μs
- 静电防护
- 具有滞后的欠电压锁定
- VERYLOW启动电流:150mA
- 高压照明600v