用于IGBT和MOSFET的20V双低侧栅极驱动器IC,具有典型的2.3A源极和3.3A漏极电流,采用8引线SOIC封装,采用电平移位技术。也可在8导联PDIP中获得。
特色
- 栅极驱动电源范围为6至20 V
- CMOS施密特触发输入
- 两个信道的匹配传播延迟
- 输出与输入同相
- 输出与输入异相(IR4426S)
- 也可提供无引线
应用
- 室内空气条件
- 电动工具
- 电源
- 太阳能系统解决方案
起订量: 1
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用于IGBT和MOSFET的20V双低侧栅极驱动器IC,具有典型的2.3A源极和3.3A漏极电流,采用8引线SOIC封装,采用电平移位技术。也可在8导联PDIP中获得。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。