STG5123DTR是一种使用硅门C2MOS技术制造的高速CMOS低压单模拟SPDT（单极双掷）开关或2:1多路复用器/解复用器开关。该设备的设计工作电压为1.65至4.5 V，是便携式应用的理想选择。
该设备在V时提供极低的导通电阻（1Ω）科科斯群岛当SEL输入保持高电平时，开关S1接通（连接到公共端口Dn），当SEL保持低电平时，则开关S1断开（两个端口之间存在高阻抗状态）。
当SEL输入保持为低时，开关S2接通（连接到公共端口D），当SEL保持为高时，开关S1断开（两个端口之间存在高阻抗状态）。
其他关键特征是快速切换速度、先断后合延迟时间和超低功耗。所有输入和输出都配有保护电路，以防静电放电，使其免受ESD和瞬态过电压的影响。
特色
- 吨局部放电V时=130 ps（典型值）科科斯群岛=3.0伏
- 吨局部放电V时=140 ps（典型值）科科斯群岛=2.3伏
- 我科科斯群岛T时=0.2μA（最大值）A.=85°C
- R上V时=1.0Ω（典型值）科科斯群岛=4.5伏
- R上V时=1.2Ω（典型值）科科斯群岛=3.0伏
- R上V时=2.0Ω（典型值）科科斯群岛=1.8伏
- 五、科科斯群岛（操作）=1.65至4.5 V单电源
- 2000 V人体模型（A114-B，II类）
- 200 V机器型号（A115-A）
- 1000 V充电设备型号（C101）
