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DGD2012S8-13是一种中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2012的高压侧能够在自举操作中切换到200V。
DGD2012S8-13逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，设计用于最小化驱动器交叉传导。
DGD2012S8-13采用节省空间的SO-8（TH型）封装，可在-40°C至+125°C的温度范围内工作。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DGD2110S16-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.689 |
 | DGD21904S14-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥8.36555 |
 | DGD0636MS28-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 3-Phase 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 28-SO 安装类别: 表面安装 | ¥9.35116 |
 | DGD1503S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥7.60505 |
 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
 | DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
 | DGD0211CWTQ-7 | HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | ¥0.00 | |
| DGD2388MS20-13 | HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | ¥0.00 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
