IRS21091STRPBF

描述

IRS21091是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

特征

·为引导操作设计的浮动通道

·完全运行至+600 V

·耐受负瞬态电压，dV/dt免疫

·栅极驱动电源范围从10 V到20 V

·两个通道的欠压锁定

·3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容

·交叉传导防止逻辑

·两个信道的匹配传播延迟

·高压侧输出与in输入同相

·逻辑和电源接地+/-5 V偏移

·内部500 ns空载时间，可编程高达5µs，带有一个外部RDT电阻器

·较低的di/dt栅极驱动器可提高抗噪声能力

·双功能DT/SD输入关闭两个通道

特色

应用