用于IGBT和MOSFET的8引脚PDIP封装中，具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的200 V高低压侧驱动器IC。也可提供8铅SOIC和14铅MLPQ 4x4。
特色
- 为自举操作设计的浮栅驱动器
- 完全运行至+200 V
- 耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
- 欠压锁定
- 3.3 V、5 V和15 V逻辑输入兼容
- 两个信道的匹配传播延迟
- 输出与输入同相
应用
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 电动工具
IRS2001MPBF
- 描述:闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 16-MLPQ（4x4） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥16.60073
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.60
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规格参数
- 通道类型 独立的
- 驱动器数量 two
- 安装类别 表面安装
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 闸门类型 IGBT，N通道MOSFET
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 电源电压 10伏~20伏
- 部件状态 过时的
- 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.5伏
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 290毫安, 600毫安
- 高侧最大电压 (自举) 200伏
- 上升/下降时长（典型值） 70ns, 35ns
- 包装/外壳 16-VFQFN外露焊盘
- 供应商设备包装 16-MLPQ（4x4）
IRS2001MPBF 产品详情
IRS2001MPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRS-B210ST01-R1 | 村田制作所 (Murata) | 传感器型号: PIR（无源红外） 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥114.0467 |
 | IRS-B345ST03-R1 | 村田制作所 (Murata) | 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥924.09531 |
 | IRSM515-044PA | IRSM515-044 - INTELLIGENT POWER | ¥26.06307 | |
 | IRS20957SPBF | 英飞凌 (Infineon) | 种类: D类 电源电压: 10伏~15伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥10.89332 |
 | IRSM005-301MH | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 电感式、电容式 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 27-PQFN (7x8) 安装类别: 表面安装 | ¥28.17488 |
| IRSM836-015MA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 36-PQFN (12x12) 安装类别: 表面安装 | ¥24.11886 | |
 | IRSM515-024PA | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥25.27772 |
| IRSM515-084DA | IRSM515-084 - INTELLIGENT POWER | ¥28.39789 | |
 | IRSM505-035DA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-DIP 安装类别: 通孔 | ¥33.82434 | |
| IRS2108SPBF | IRS2108 - GATE DRIVER | ¥6.94572 |
IRS2001MPBF所属分类：栅极驱动器，IRS2001MPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRS2001MPBF价格参考￥16.600727，你可以下载 IRS2001MPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRS2001MPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
