该器件是一个内置振荡器的高压半桥驱动器。振荡器的频率可以使用外部电阻器和电容器编程。设备的内部电路允许它也由外部逻辑信号驱动。
输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑确保死区时间,以避免功率器件的交叉传导。有两种版本:L6571A和L6571B。它们的内部停滞时间不同:1.25μs和0.72μs(典型值)
特色
- 静电防护
- dV/dtImmunityYUPTO±50V/ns
- 可编程振荡器频率
- 具有滞后的欠电压锁定
- 高压照明600v
- 15.6伏稳压电源
- BCD离线技术
- 极低启动电流:150μA
- DEADIME1.25μs(L6571A)或0.72μs(L5571B)
- 驱动电流能力:正弦电流=270mA电源电流=170mA\t