DGD2103S8-13

Diodes的DGD21xxx栅极驱动器提供了一种在半桥和全桥配置中切换功率MOSFET和IGBT的简单方法。具有高侧和低侧输出驱动能力以及简单的逻辑电平输入，使控制器和功率MOSFET/IIGBT开关之间的接口变得简单。通过浮动高压侧驱动器支持高达600 V的电压，允许在电源、电机驱动和DC-AC逆变器中常用的高压导轨上运行。包含自我保护功能：例如固定死时间延迟，以避免穿透问题；施密特触发输入以避免错误触发；高dv/dt切换期间产生的负瞬态的栅极驱动耐受性；以及Vcc电源上的欠压锁定（UVLO）保护，以避免在低电源电压下发生故障。