起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 7.82233 | 19555.83000 |
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DGD2117S8-13和DGD2118是能够以自举配置驱动一个N沟道MOSFET或IGBT的高压/高速栅极驱动器。高压处理技术使DGD2117S8-13和DGD2118能够在600V下切换。
DGD2117S8-13和DGD2118逻辑输入与标准CMOS输出兼容。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，设计用于最小化驱动器交叉传导。单个浮动通道可用于高端和低端配置。
DGD2117S8-13和DGD2118采用SO-8（TH型）封装，工作温度从-40°C延伸至+125°C。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DGD2110S16-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.689 |
 | DGD21904S14-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥8.36555 |
 | DGD0636MS28-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 3-Phase 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 28-SO 安装类别: 表面安装 | ¥9.35116 |
 | DGD1503S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥7.60505 |
 | DGD2101S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥18.39697 |
 | DGD2103AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥15.70261 |
 | DGD2104AS8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥14.52926 |
 | DGD2106S8-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.38344 |
 | DGD0211CWTQ-7 | HV Gate Driver TSOT25 T&R 3K | ¥0.00 | |
| DGD2388MS20-13 | HV Gate Driver SO-20 T&R 1.5K | ¥0.00 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
