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DGD2118S8-13

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 7.82233 19555.83000
  • 库存: 227500
  • 单价: ¥7.82233
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19,555.83
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 输入类别 非反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 290毫安, 600毫安
  • 驱动器配置 高压侧
  • 逻辑电压-VIL、VIH 6V, 9.5V
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 上升/下降时长(典型值) 75ns, 35ns

DGD2118S8-13 产品详情

DGD2110S16-13和DGD2113是高压、高速MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端输出。高压侧驱动器具有浮动电源,可在高达500V/600V的电压下工作。高侧驱动器和低侧驱动器之间的10ns(最大)/20ns(最大值)传播延迟匹配允许高频操作。

DGD2110S16-13和DGD2113逻辑输入与标准CMOS电平(低至3.3V)兼容,而驱动器输出具有设计用于最小化驱动器交叉传导的高脉冲电流缓冲器。

DGD2110S16-13和DGD2113采用16针SO封装。它们在-40°C至+125°C的温度范围内工作。

特色

  • 驱动高侧/低侧配置的两个N沟道MOSFET或IGBT
  • 浮动高压侧工作电压为600V
  • 2.5A汇点/2.5A源典型输出电流
  • 负瞬态耐受输出
  • 宽栅极驱动器电源电压范围:10V至20V
  • 宽逻辑输入电源电压范围:3.3V至20V
  • 宽逻辑电源偏置电压范围:-5V至5V
  • 1000pF负载时,15ns(典型值)上升/13ns(典型)下降时间
  • 105ns(典型值)开启/94ns(典型)关闭延迟时间
  • 逐周期边缘触发停机电路
  • 扩展温度范围:-40°C至+125°C
  • 完全无铅且完全符合RoHS
  • 无卤素和锑。“绿色”设备

应用

  • 电机控制
  • AC-DC电源
DGD2118S8-13所属分类:栅极驱动器,DGD2118S8-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGD2118S8-13价格参考¥7.822332,你可以下载 DGD2118S8-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGD2118S8-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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