DGD2110S16-13和DGD2113是高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端输出。高压侧驱动器具有浮动电源，可在高达500V/600V的电压下工作。高侧驱动器和低侧驱动器之间的10ns（最大）/20ns（最大值）传播延迟匹配允许高频操作。
DGD2110S16-13和DGD2113逻辑输入与标准CMOS电平（低至3.3V）兼容，而驱动器输出具有设计用于最小化驱动器交叉传导的高脉冲电流缓冲器。
DGD2110S16-13和DGD2113采用16针SO封装。它们在-40°C至+125°C的温度范围内工作。
特色
- 驱动高侧/低侧配置的两个N沟道MOSFET或IGBT
- 浮动高压侧工作电压为600V
- 2.5A汇点/2.5A源典型输出电流
- 负瞬态耐受输出
- 宽栅极驱动器电源电压范围：10V至20V
- 宽逻辑输入电源电压范围：3.3V至20V
- 宽逻辑电源偏置电压范围：-5V至5V
- 1000pF负载时，15ns（典型值）上升/13ns（典型）下降时间
- 105ns（典型值）开启/94ns（典型）关闭延迟时间
- 逐周期边缘触发停机电路
- 扩展温度范围：-40°C至+125°C
- 完全无铅且完全符合RoHS
- 无卤素和锑。“绿色”设备
应用
- 电机控制
- AC-DC电源
