FDG901D零件是由ON制造的用于P沟道MOSFET的转换速率控制驱动器IC，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的FDG901D组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如FDG901D库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
FDG8850NZ是MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商设备包的SC-70-6，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路），最大功率为300mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为120pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为750mA，最大Id Vgs上的Rds为400mOhm@750mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.44nC@4.5V，Pd功耗为360mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1 ns，上升时间为1ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为750mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型导通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
FDG8842CZ-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDG8842CZ-NL采用SC70-6封装，是IC芯片的一部分。
FDG8850NZ-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG8850NZ-NL采用SC706L封装，是IC芯片的一部分。
