L6482HTR器件采用模拟混合信号技术实现,是一种先进的全集成解决方案,适用于驱动具有微步进功能的两相双极步进电机。
它集成了用于N沟道MOSFET功率级的双全桥栅极驱动器,具有嵌入式非耗散过电流保护。由于采用了新的电流控制,通过优于传统实现的自适应衰减模式实现了1/16微步进。数字控制核心可以生成用户定义的运动轮廓,其加速、减速、速度或目标位置可通过专用寄存器组轻松编程。所有应用命令和数据寄存器,包括用于设置模拟值(即电流保护跳闸点、死区时间、PWM频率等)的命令和数据都通过标准的5 Mbit/s SPI发送。一套非常丰富的保护(热、低母线电压、过电流和电机失速)使L6482HTR设备“防弹”,满足最苛刻的电机控制应用的要求。
特色
- 工作电压:7.5 V-85 V
- 用于N沟道MOSFET的双全桥栅极驱动器
- 完全可编程门驱动
- 嵌入式米勒钳功能
- 可编程速度曲线
- 最多1/16微步进