特色
- 100µs回转率控制的开启时间
- <1µA低静态电流
- <1µA低停机电流
- 反向阻断能力
SIP32431DR3-T1GE3
- 描述:开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.5伏~5.5伏 供应商设备包装: SC-70-6
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 1.93152 | 193.15290 |
| 200+ | 1.73837 | 347.67520 |
| 500+ | 1.60961 | 804.80550 |
| 1000+ | 1.54522 | 1545.22200 |
- 库存: 90000
- 单价: ¥1.78103
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.78
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 输出数量 one
- 输入比率 / 输出比率 1:1
- 连接口 On/Off
- 电源电压 (Vcc/Vdd) 不需要
- 开关种类 一般用途
- 输出配置 高端
- 输入类别 非反相
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
- 安装类别 表面安装
- 输出类别 P-通道
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 最大输出电流 1.2A
- 特点 回转速率受控
- 故障保护 反向电流
- 负载电压 1.5伏~5.5伏
- 典型导通电阻 147m欧姆
- 供应商设备包装 SC-70-6
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 电源电压 2.7伏~3.6伏
SIP32431DR3-T1GE3 产品详情
SIP32431DR3-T1GE3是一种具有反向阻断功能的转换速率控制高压侧负载开关。该开关为低导通电阻p沟道MOSFET，支持高达1A的连续电流。SiP32431的输入电压为1.5至5.5V。SiP32432具有低输入逻辑电平，可与微处理器的低控制电压连接。工作温度范围规定为-40至+85°C。
SIP32431DR3-T1GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIP91P | 化学电子 (Chemtronics) | WIPES IPA ELEC GRADE 125/TUB | ¥253.42907 |
 | SIP100R | 化学电子 (Chemtronics) | WIPES IPA ELEC GRADE REFILL | ¥226.41305 |
 | SIP125R | 化学电子 (Chemtronics) | WIPES IPA ELEC GRADE 125/BAG | ¥228.15135 |
 | SIP125P | 化学电子 (Chemtronics) | WIPES IPA ELEC GRADE 125/TUB | ¥276.53392 |
 | SIP100P | 化学电子 (Chemtronics) | ISOPROPYL ALCOHOL WIPES | ¥242.41986 |
 | SIP1X30-041BLF | 种类: SIP 端接: 焊料 引脚数 / 引脚网格位置: 30（1 x 30） 立柱间距: 0.100英寸（2.54毫米） 立柱表面处理厚度: 锡 安装类别: 通孔 | ¥7.35173 | |
| SIP050-1X06-157BLF | 种类: SIP 端接: 焊料 引脚数 / 引脚网格位置: 6 (1 x 6) 立柱间距: 0.100英寸（2.54毫米） 立柱表面处理厚度: 锡 安装类别: 通孔 | ¥12.63601 | |
| SIP050-1X10-157BLF | 种类: SIP 端接: 焊料 引脚数 / 引脚网格位置: 10（1 x 10） 立柱间距: 0.100英寸（2.54毫米） 立柱表面处理厚度: 锡 安装类别: 通孔 | ¥18.69821 | |
| SIP050-1X09-160BLF | 种类: SIP 端接: 焊料 引脚数 / 引脚网格位置: 9 (1 x 9) 立柱间距: 0.100英寸（2.54毫米） 立柱表面处理厚度: 锡 安装类别: 通孔 | ¥8.13812 | |
| SIP050-1X11-157BLF | 种类: SIP 端接: 焊料 引脚数 / 引脚网格位置: 11（1 x 11） 立柱间距: 0.100英寸（2.54毫米） 立柱表面处理厚度: 锡 安装类别: 通孔 | ¥24.90528 |
SIP32431DR3-T1GE3所属分类：配电开关/负载驱动器，SIP32431DR3-T1GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIP32431DR3-T1GE3价格参考￥1.781029，你可以下载 SIP32431DR3-T1GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIP32431DR3-T1GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
