英飞凌和国际整流器公司的一系列PFC（功率因数校正）控制器，采用连续传导模式操作
特色
- 临界导通模式PFC控制
- 高PF和超低THD
- 宽负载和线路范围
- 可调节和可编程的直流母线电压
- 无需二次绕组
- MOSFET逐周期过电流保护
- 直流母线过电压保护
- 低EMI栅极驱动器
- 超低启动电流
- VCC上的20.8V内部齐纳钳位
- 优异的ESD和闩锁抗扰性
- 符合RoHS
- 5针SOT-23封装
应用
- 照明
- 功率因数校正
IRS2505LTRPBF
- 描述:电源电压: 10.5伏~20.8伏 模式: 关键传导（CRM） 供应商设备包装: SOT-23-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.36046 | 2.36046 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.36046
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.36
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
- 开关频率 -
- 模式 关键传导（CRM）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 启动电流 60 A
- 部件状态 上次购买
- 电源电压 10.5伏~20.8伏
- 包装/外壳 SC-74A，SOT-753
- 供应商设备包装 SOT-23-5
IRS2505LTRPBF 产品详情
PFC控制器-CCM、Infineon
IRS2505LTRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRS-B210ST01-R1 | 村田制作所 (Murata) | 传感器型号: PIR（无源红外） 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥114.0467 |
 | IRS-B345ST03-R1 | 村田制作所 (Murata) | 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥924.09531 |
 | IRSM515-044PA | IRSM515-044 - INTELLIGENT POWER | ¥26.06307 | |
 | IRS20957SPBF | 英飞凌 (Infineon) | 种类: D类 电源电压: 10伏~15伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥10.89332 |
 | IRSM005-301MH | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 电感式、电容式 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 27-PQFN (7x8) 安装类别: 表面安装 | ¥28.17488 |
| IRSM836-015MA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 36-PQFN (12x12) 安装类别: 表面安装 | ¥24.11886 | |
 | IRSM515-024PA | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥25.27772 |
| IRSM515-084DA | IRSM515-084 - INTELLIGENT POWER | ¥28.39789 | |
 | IRSM505-035DA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-DIP 安装类别: 通孔 | ¥33.82434 | |
| IRS2108SPBF | IRS2108 - GATE DRIVER | ¥6.94572 |
IRS2505LTRPBF所属分类：功率因数校正 (PFC)，IRS2505LTRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRS2505LTRPBF价格参考￥2.360461，你可以下载 IRS2505LTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRS2505LTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
