L6474HTR器件采用模拟混合信号技术实现,集成了双低RDS(打开)DMOS全桥,所有电源开关均配备了适用于无耗散电流控制和过电流保护的精确片上电流传感电路。由于采用了新的电流控制,通过优于传统实现的自适应衰减模式实现了1/16微步进。
所有数据寄存器,包括用于设置模拟值(即:电流控制值、电流保护跳闸点、死区时间等)的数据寄存器,均通过标准5 Mbit/s SPI发送。
一套非常丰富的保护(热、低母线电压、过电流)使L6474HTR设备“防弹”,符合最苛刻的电机控制应用的要求。
特色
- 工作电压:8-45 V
- 7.0 A输出峰值电流(3.0 A均方根值。)
- 低RDS(打开)功率MOSFET
- 可编程功率MOS转换速率
- 最多1/16微步进
- 具有自适应衰减的电流控制