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FDZ197PZ是MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP，包括卷轴封装，它们设计为以0.001905盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如WLCSP-6，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.9 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为280 ns，上升时间为5.9 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-3.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为311ns，典型接通延迟时间为5.8ns，正向跨导最小值为21S，沟道模式为增强。
FDZ202P是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA。FDZ202P采用12-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA、P沟道20V 5.5A（Ta）2W（Ta）表面安装12-BGA（2x2.5）、Trans MOSFET P-CH20V 5.5A 12引脚BGA T/R。
FDZ203N是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA。FDZ203N采用9-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA、N沟道20V 7.5A（Ta）1.6W（Ta）表面安装9-BGA（2x2.1）、Trans MOSFET N-CH20V 7.5A 6引脚BGA T/R。
