L6562ATD

Name: L6562ATD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7259496-L6562ATD
Price: 16.740696 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:电源电压: 10.5伏~22.5伏模式: 不连续（过渡）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度安装类别: 表面安装
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
开关频率 -
启动电流 30A.
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SOIC
工作温度 -25摄氏度~125摄氏度
模式不连续（过渡）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
电源电压 10.5伏~22.5伏

L6562ATD 产品详情

L6562ATD是在过渡模式下运行的电流模式功率因数控制器。与前代产品相同，它提供了更好的性能。高线性乘法器包括一个特殊电路，能够减少交流输入电流失真，即使在大负载范围内，也能以极低的THD实现宽范围的电源操作。输出电压通过电压模式误差放大器和精确的内部电压基准来控制。该设备具有极低的功耗（启动前最大60µA，运行时<5.5mA），并包括适用于IC远程开/关的禁用功能，从而更容易满足节能要求。有效的两步OVP能够安全地处理启动时发生的或负载断开引起的过电压。图腾柱输出级具有600mA源电流和800mA漏电流，适用于驱动大电流MOSFET或IGBT。

特色

保证极端温度范围（室外）
最小THD的专有乘法器设计
非常精确的可调输出过压保护
超低（30µA）启动电流
低（2.5mA）静态电流
基于电流感测的数字前沿消隐
禁用E/A输入功能

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型号	制造商	描述	价格
L653	阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power )	EN L653 1 1/4 IN. EMT STRAP	¥9.27091
L650-EN	阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power )	EN L650EN 1/2 IN. EMT STRAP	¥2.39016
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L6571BD	意法半导体 (STMicroelectronics)	闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥通道类型: 同步的电源电压: 10伏～16.6伏供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装	¥18.5807
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L65B3C881-00000-000		SWITCH ROCKER	¥0.00

L6562ATD所属分类：功率因数校正 (PFC)，L6562ATD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。L6562ATD价格参考￥16.740696，你可以下载 L6562ATD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询L6562ATD规格参数、现货库存、封装信息等信息！