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IRS2103是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
•为引导操作设计的浮动通道
•完全运行至+600 V
•耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10 V至20 V
•欠压锁定
•3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
•交叉传导预防逻辑
•两个信道的匹配传播延迟
•内部设定死区时间
•高压侧输出与HIN输入同相
•低端输出与输入异相
•符合RoHS
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRS-B210ST01-R1 | 村田制作所 (Murata) | 传感器型号: PIR（无源红外） 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥114.0467 |
 | IRS-B345ST03-R1 | 村田制作所 (Murata) | 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥924.09531 |
| IRSM515-044PA | IRSM515-044 - INTELLIGENT POWER | ¥26.06307 | |
 | IRS20957SPBF | 英飞凌 (Infineon) | 种类: D类 电源电压: 10伏~15伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥10.89332 |
 | IRSM005-301MH | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 电感式、电容式 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 27-PQFN (7x8) 安装类别: 表面安装 | ¥28.17488 |
| IRSM836-015MA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 36-PQFN (12x12) 安装类别: 表面安装 | ¥24.11886 | |
 | IRSM515-024PA | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥25.27772 |
| IRSM515-084DA | IRSM515-084 - INTELLIGENT POWER | ¥28.39789 | |
 | IRSM505-035DA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-DIP 安装类别: 通孔 | ¥33.82434 | |
| IRS2108SPBF | IRS2108 - GATE DRIVER | ¥6.94572 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
