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FDY4000CZ是MOSFET N/P-CH 20V SC89-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001129盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商设备包的SC-89-6，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为446mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为60pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为600mA、350mA，最大Id Vgs为700mOhm@600mA、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.1nC@4.5V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8 ns 13 ns，上升时间为8纳秒13 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V 8 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为700 m欧姆1.2欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为8ns 8ns，典型接通延迟时间为6ns 6ns，正向跨导最小值为1.8S 1S，信道模式为增强。
FDY4001CZ是MOSFET N/P-CH 20V SC89-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如5 Ohm@200mA，4.5V，Power Max设计为446mW，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作SOT-563，SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有60pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.1nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流为200mA、150mA。
FDY302NZ-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDY302NZ-NL采用SOT-523F3L封装，是IC芯片的一部分。
