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FDZ371PZ是MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于4-XFBGA、WLCSP以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的4-WLCSP（1x1），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1000pF@10V，FET的特点是逻辑电平门，1.5V驱动，25°C时的电流连续漏极Id为3.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为75mOhm@2A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，Pd功耗为1.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为88ns，上升时间为9.1ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为124ns，典型导通延迟时间为5.9ns，并且前向跨导Min为14S，并且信道模式为增强。
FDZ391P是MOSFET-20V P-Ch 1.5 V PowerTrench，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002258盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10 ns上升时间提供，器件具有85 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴，封装外壳为WLCSP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为10ns，配置为单双漏三源，通道模式为增强型。
FDZ3N513ZT是MOSFET 30V集成NMOS和肖特基二极管，包括单级肖特基二极管配置，它们设计为以0.5 S正向跨导最小值运行，连续漏电流如数据表注释所示，用于1.1 a，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为WLCSP-4，器件采用卷筒封装，器件具有1 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为1 nC，Rds漏极-源极电阻为462 mOhm，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.001482 oz，Vds漏极源极击穿电压为30 V，并且Vgs栅极-源极电压为5.5V，并且Vgs第二栅极-源极端电压为0.7V。
FDZ375P是MOSFET 20V P沟道1.5V规格的PowerTrench，包括WLCSP-4封装盒，它们设计为采用SMD/SMT安装方式工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供Si等技术特性，封装设计为在卷筒中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作15nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为143 mOhm，器件提供11 S正向跨导最小值，器件具有1.7 W的Pd功耗，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.002413 oz，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为-3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V。
